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免『mian』费足球推荐(www.aLLbetgame.us):铠侠和西数3D闪存材料“liao”遭污染;PC需求走弱,DRAM价或转跌「die」;

admin2022-04-3061登1登2登3皇冠

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1. 铠侠3D闪存材料遭污染,影响日两厂生产

2. 日经:PC需求弱,DRAM价格转跌

3. 三星将在年底推200+层NAND闪存

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铠侠3D闪存材料遭污染,影响日两厂生产

综合铠侠官网、美联社消息,由于用于闪存生产的材料遭污染,铠侠在日本的两家生产工厂的生产受到了影响,目前正努力恢复正常运作。

铠侠方面表示:自 1 月下旬以来,铠侠在日本四日市的工厂和北上工厂的部分业务受到影响。推测原因是3D闪存BiCS FLASH的特定生产过程中含有杂质的组件。目前,铠侠方面正努力采取措施,争取早日恢复正常运行。铠侠预计,其2D NAND闪存的生产出货预计不会受到影响,将继续尽最大努力减少对客户的影响。

而与铠侠合资制造闪存的西部数据则表示,受影响的闪存高达6.5艾字节(exabytes)。鉴于生产中断的严重性,预计在不久的将来会看到对 SSD 供应的显著影响。

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西部数据和铠侠并未提出何时可能恢复生产的具体日期。而芯片从硅晶圆到可应用于电子产品的成品,一般要花大约三个月之久,任何中断仍将在生产重启后的几个月内产生影响。

据悉,四日市厂区有六个工厂,占地69.4万平方米,有6300名员工。北上厂区由几家工厂组成,一个新的K2生产设施正在建设中,将增加136,000平方米的生产空间。

数据显示,2021年,铠侠SSD出货量按容量占比约8.5%,西部数据占15.4%。此次事件之前,三星在西安的生产也因Covid限制受到冲击,所有这些最终都可能导致基于 NAND 的产品短缺。

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日经:PC需求弱,DRAM价格转跌

据日经新闻报道,DRAM价格再度转趋走跌,主因宅经济需求停歇,来自PC的需求走弱,加上芯片短缺、供应链混乱导致智能手机等产品的生产停滞,造成暂缓采购DRAM的动向扩大。

2022年1月份主流品指标性产品DDR4 8Gb批发价为每个3.1美元左右,较前一个月份下滑3%,容量较小的4Gb产品价格为每个2.5美元,较前一个月份下滑3%,皆为6个月来第五度呈现下跌。

关于今后的价格动向,半导体商社表示「因1-3月为季节性淡季,预估需求不大,因此DRAM价格可能将持续缓和下跌」。

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三星将在年底推200+层NAND闪存

据韩媒BusinessKorea报道,三星电子计划2021年底量产176层NAND Flash闪存,但考虑到实际市况,最后决定延后到2022年第一季。但美商存储大厂美光抢先量产176层NAND Flash闪存,市场人士预测,三星将加速200层以上NAND Flash闪存量产步伐,以夺回美光抢走的技术领先头衔。

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